SONY ステレオインテグレートアンプ TAA1ESM

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FET入力ディスクリートバッファ回路を新開発・搭載
入力信号を必要十分な高いインピーダンスで受け、低いインピーダンスで純度の高い状態で音楽信号をボリューム回路に送りこむために、FET入力バッファアンプを開発搭載しました。これにより、ソース側のアンプの能力に関わらず音質を保ち、ボリューム素子をドライブですることができるのでボリューム位置による音質変化が少なくなるなど、高品位な信号処理を行います。

●高品位な電子ボリュームICの採用
TA-A1ESでは、音質的に比較した結果、電子ボリュームICを採用しています。電子ボリュームICを使うことで内部レイアウトは最短ルートに構成できるとともに、回路面積を最小限にすることで基板が振動したときの変調の影響を抑えることができます。

●「オプティマム・ゲイン・コントロール Ver2」
電子ボリュームICは内部にバッファアンプを持っておらず、純粋にシリコン上に構成された薄膜抵抗を音声信号が通るだけです。このICにディスクリートバッファアンプを構成した「オプティマム・ゲイン・コントロール Ver2」はアッテネーター値0dB(フルボリューム)まではバッファアンプのゲインが1倍(ノイズ最小領域)と実用領域での高いS/Nを実現します。また半導体を採用する事でギャングエラーも0.25dB以下と非常に高精度で、ボリューム素子による劣化の無い音楽信号をパワーアンプに送り出します。

●新開発の「シングルPP&HI CURRENT AMP」搭載
最終段のパワーアンプ部では、シンプルなデバイス構成による高純度な音楽再生を重視し、シングルプッシュプル(シングルPP)を採用しています。新開発の「シングルPP&HI CURRENT AMP」は、1組のトランジスタで構成した、シングル・プッシュ・プル動作で80W+80W(8Ω)の出力を実現しています。また、通常はトランジスタの熱暴走を防ぐために必要なエミッタ抵抗を削除するに成功しており、より純度の高い音楽再生を実現しています。

スペック
本体サイズ(H×W×D) : 430×130×420
本体重量: 17kg

JANコード: 4905524935394